具有堆叠内纵向偏置层结构的三端子磁传感器
专利权的终止
摘要

本发明提供一种适合在磁头中使用的三端子磁传感器(TTM),其具有基极区域、集电极区域和发射极区域。第一势垒层位于发射极区域与基极区域之间,第二势垒层位于集电极区域与基极区域之间。该TTM的气垫面(ABS)感测平面沿基极区域、集电极区域、以及发射极区域的侧面确定。基极区域包括自由层结构、被钉扎层结构、形成在自由层结构与被钉扎层结构之间的第一非磁间隔层、磁偏置自由层结构的堆叠内纵向偏置层结构、以及形成在自由层结构与堆叠内纵向偏置层结构之间的第二非磁间隔层。在该TTM的一个变型中,基极区域的层被颠倒。该TTM可包括自旋阀晶体管(SVT)、磁隧道晶体管(MTT)、或双结结构。

基本信息
专利标题 :
具有堆叠内纵向偏置层结构的三端子磁传感器
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1815753A
申请号 :
CN200510022949.2
公开(公告)日 :
2006-08-09
申请日 :
2005-12-19
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杰弗里·R·奇尔德雷斯小罗伯特·E·方塔纳杰弗里·S·利勒
申请人 :
日立环球储存科技荷兰有限公司
申请人地址 :
荷兰阿姆斯特丹
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
李晓舒
优先权 :
CN200510022949.2
主分类号 :
H01L29/66
IPC分类号 :
H01L29/66  G11B5/39  G11B5/48  
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法律状态
2017-02-08 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101701026766
IPC(主分类) : H01L 29/66
专利号 : ZL2005100229492
申请日 : 20051219
授权公告日 : 20101208
终止日期 : 20151219
2014-06-04 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101701435242
IPC(主分类) : H01L 29/66
专利号 : ZL2005100229492
变更事项 : 专利权人
变更前 : 日立环球储存科技荷兰有限公司
变更后 : HGST荷兰公司
变更事项 : 地址
变更前 : 荷兰阿姆斯特丹
变更后 : 荷兰阿姆斯特丹
2010-12-08 :
授权
2006-10-04 :
实质审查的生效
2006-08-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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