高精度硅片台
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要

本实用新型涉及高精度硅片台,包括自下而上依次连接的气浮支座、调平机构、平面电机、簧片,簧片的上方为一方镜,方镜的上表面设有一用来放置硅片的吸盘;方镜由至少三个方镜支柱支撑,方镜支柱的底部设置在调平机构的上表面;气浮支座与方镜之间还设有电涡流传感器;调平机构包括至少三个沿周向均布的调平执行器,方镜支柱与所述的调平执行器对应设置;方镜上分别设有对准标记板和反射激光束的镜面。利用本实用新型可使硅片在工作台上同时具有六个自由度,实现硅片的精确定位,确保硅片的垂向精度为50nm以内,水平精度在10nm以内,从而大幅度提高半导体设备的制造精度。

基本信息
专利标题 :
高精度硅片台
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620042464.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-06-07
授权号 :
CN2932619Y
授权日 :
2007-08-08
发明人 :
齐芊枫李正贤
申请人 :
上海微电子装备有限公司
申请人地址 :
201203上海市张江高科技园区张东路1525号
代理机构 :
上海泰能知识产权代理事务所
代理人 :
黄志达
优先权 :
CN200620042464.X
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683  H01L21/68  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2009-03-04 :
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 2009211
2007-12-26 :
专利申请权、专利权的转移专利权的转移
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海微电子装备有限公司
变更后权利人 : 上海微电子装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203上海市张江高科技园区张东路1525号
变更后权利人 : 201203上海市张江高科技园区张东路1525号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 上海微高精密机械工程有限公司
登记生效日 : 20071123
2007-08-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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