冷盘盘体结构
专利权的终止
摘要
一种冷盘盘体结构，具有上盘、下盘及冷却装置，具体为上盘与下盘间夹设半导体制冷模块结构，并分别在半导体制冷模块与上盘和半导体制冷模块与下盘中间夹设硅脂层，所述上盘中嵌有PT100的温度传感器，在上、下盘侧表面外部涂设密封硅胶层；另外，下盘中设冷却水管。本实用新型结构简单且可节约成本，特别能满足半导体晶片加工对于温度控制的高精度要求。
基本信息
专利标题 ：
冷盘盘体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620168328.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-12-20
授权号 ：
CN201011654Y
授权日 ：
2008-01-23
发明人 ：
张怀东
申请人 ：
沈阳芯源先进半导体技术有限公司
申请人地址 ：
110168辽宁省沈阳市浑南新区飞云路16号
代理机构 ：
沈阳科苑专利商标代理有限公司
代理人 ：
许宗富
优先权 ：
CN200620168328.5
主分类号 ：
H01L21/00
IPC分类号 ：
H01L21/00 F25B21/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2017-02-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101702115091
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2006201683285
申请日 : 20061220
授权公告日 : 20080123
终止日期 : 20151220
号牌文件序号 : 101702115091
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2006201683285
申请日 : 20061220
授权公告日 : 20080123
终止日期 : 20151220
2008-01-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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