直线导轨式坩埚提升装置
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
摘要

本实用新型涉及直拉式晶体生长炉的坩埚驱动装置,旨在提供一种直线导轨式坩埚提升装置。其框架部件包括导轨座、筋板、底板和地脚调整块;锅升部件包括快慢电机组件、滚动直线导轨副、上轴承座、丝杆、提升支架、丝杆螺母、下轴承座和大同步带组件;埚转部件包括波纹管、坩埚轴组件、埚转磁流体、埚转电机、电机支架和多碶带组件。本实用新型通过选用合适的机构以及合理的结构布局,大幅度提高了坩埚提升装置的平稳性和可靠性,改善了其负载性能,以及坩埚提升与回转速度控制的精度,完全适应晶体炉的全自动控制系统。装备该坩埚提升装置晶体生长炉运行平稳可靠,其晶体产品完整性与均匀性都非常好,能够完全达到IC电路对单晶材料要求。

基本信息
专利标题 :
直线导轨式坩埚提升装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620173110.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-12-16
授权号 :
CN200992594Y
授权日 :
2007-12-19
发明人 :
朱亮曹建伟邱敏秀黄家海
申请人 :
杭州慧翔电液技术开发有限公司
申请人地址 :
310013浙江省杭州市西湖区玉古路149号310室
代理机构 :
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 :
唐银益
优先权 :
CN200620173110.9
主分类号 :
C30B15/30
IPC分类号 :
C30B15/30  C30B15/10  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2009-02-18 :
其他有关事项(避免重复授权放弃专利权)
放弃生效日 : 2009211
2008-03-19 :
实用新型专利说明书更正
号 : 51
卷 : 23
页码 : 扉页
更正项目 : 共同专利权人
误 : 无
正 : 上虞晶盛机电工程有限公司
2008-03-19 :
实用新型专利公报更正
号 : 51
卷 : 23
页码 : 无
更正项目 : 共同专利权人
误 : 无
正 : 上虞晶盛机电工程有限公司
2007-12-19 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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