一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置
实质审查的生效
摘要

本发明属于晶体生长技术领域,具体的说是一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置,包括坩埚基座,所述坩埚基座内部通过螺纹连接有丝杆,所述丝杆下端固定有埚升组件,所述坩埚基座内部贯通连接有坩埚轴,所述坩埚轴外部套接有波纹管,所述波纹管下端固定有磁流体安装板,所述磁流体安装板内部固定有埚转磁流体;本发明通过在坩埚轴的底部设置磁流体安装板与压力检测机构,可以有效的通过下轴称重的方式对坩埚的重量进行实时的监测,通过系统对比坩埚内的质量变化与生产晶体的质量变化,可以达到以下有益效果:可自动对坩埚炉下轴进行称重并判断是否出现泄露的情况;可直接反馈埚中剩余硅料质量;可以判断结晶情况;可以用于埚中硅料质量校准。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉坩埚提升下轴称重装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318506A
申请号 :
CN202111530936.1
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2021-12-14
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
尹嘉琦曹玉宝江佳飞辛珊张怿李欢胡亚涛
申请人 :
连城凯克斯科技有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市锡山区锡北镇泾虹路15号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202111530936.1
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B29/06  G01G19/00  G01M3/26  G08B21/24  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20211214
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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