具有受控的双轴应力的超低介电常数层
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明描述了一种用于制造具有受控的双轴应力的超低介电常数层的方法，所述方法包括以下步骤：通过PECVD和旋涂中的一种形成包含Si、C、O和H的层，并且在包含均小于10ppm的非常低浓度的氧气和水的环境中固化所述膜。还通过使用所述方法描述了一种具有不大于2.8的介电常数的材料。本发明克服了形成具有小于46MPa的低双轴应力的膜的问题。
基本信息
专利标题 ：
具有受控的双轴应力的超低介电常数层
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101548362A
申请号 ：
CN200680002276.7
公开（公告）日 ：
2009-09-30
申请日 ：
2006-01-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·D·迪米特罗普洛斯S·M·盖茨A·格里尔M·W·莱恩E·G·利宁格刘小虎S·V·恩古源D·A·诺伊迈尔T·M·肖
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
于 静
优先权 ：
CN200680002276.7
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 B32B3/26 B05C11/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2017-11-21 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/20
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约
2017-11-21 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 21/20
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛
2012-10-03 ：
授权
2009-11-25 ：
实质审查的生效
2009-09-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101548362A.PDF
PDF下载
2、
CN101548362B.PDF
PDF下载
