通过外延成长且高介电常数的应变层使MOSFET具有机械性...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种晶体管(如金属氧化物半导体晶体管)，具有位于基板通道区之上的外延成长应变层，使通道区受应力以增加通道中载流子的迁移率。应变层是由一个高介电常数的材质所构成。
基本信息
专利标题 ：
通过外延成长且高介电常数的应变层使MOSFET具有机械性应力的通道
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828933A
申请号 ：
CN200610001626.X
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
曹敏
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京连和连知识产权代理有限公司
代理人 ：
高翔
优先权 ：
CN200610001626.X
主分类号 ：
H01L29/51
IPC分类号 ：
H01L29/51 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2008-10-15 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-12-06 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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