改善低k叠层之间粘附性的界面工程

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种在不存在等离子体电弧放电的条件下沉积有机硅电介质层的方法，所述有机硅电介质层对设置在单个处理室中的下方衬底具有高粘附强度。该方法包括：将衬底定位在具有通电电极的处理室中；将界面气体混合物流入所述处理室，所述界面气体混合物包含一种或更多种有机硅化合物和一种或更多种氧化气体；通过改变工艺参数，将氧化硅层沉积在所述衬底上，其中所述通电电极的DC偏压的变化小于60伏特。

基本信息

专利标题：

改善低k叠层之间粘附性的界面工程

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101107383A

申请号：

CN200680002599.6

公开（公告）日：

2008-01-16

申请日：

2006-01-19

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

迪奈什·帕德海干纳施·巴拉苏布拉马尼恩安纳马莱·拉克师马纳崔振江均·卡洛斯·若彻－阿勒圭瑞金博宏海澈姆·穆萨德史蒂文·雷特尔福兰斯马尔·斯楚弥特

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

赵飞

优先权：

CN200680002599.6

主分类号：

C23C16/40

IPC分类号：

C23C16/40 C23C16/02

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C23

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制

C23C

对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆

C23C16/00

通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺

C23C16/22

以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

C23C16/30

沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物

C23C16/40

氧化物

法律状态

2016-03-16 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件序号 : 101650104827
IPC(主分类) : C23C 16/40
专利号 : ZL2006800025996
申请日 : 20060119
号牌文件类型代码 : 1605
授权公告日 : 20100317
终止日期 : 20150119

2010-03-17 ：

授权

2008-03-05 ：

实质审查的生效

2008-01-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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