具有电流密度增强层的薄膜电阻

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种薄膜电阻器件及其制造方法，包括薄膜导电材料(20)和电流密度增强层(CDEL)。CDEL是适合于粘附在薄膜导电材料(20)上的绝缘材料并且其使得所述薄膜电阻能承载更高的电流密度同时减小阻抗偏移。在一个实施方式中，薄膜电阻器件包括形成于薄膜导电材料(20)一侧(上侧或下侧)上的CDEL层(50)。在第二实施方式中，两个CDEL层形成于薄膜导电材料(20)的两侧(上侧和下侧)上。该电阻器件可以作为BEOL和FEOL工艺的一部分而被制造。

基本信息

专利标题：

具有电流密度增强层的薄膜电阻

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101647075A

申请号：

CN200680004973.6

公开（公告）日：

2010-02-10

申请日：

2006-02-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

埃尼尔·K·奇恩萨肯迪埃贝内泽尔·E·爱顺

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王以平

优先权：

CN200680004973.6

主分类号：

H01C1/012

IPC分类号：

H01C1/012

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01C

电阻器

H01C1/00

零部件

H01C1/01

安装；支承

H01C1/012

沿电阻元件伸展并增加电阻元件的硬度或强度的基体

法律状态

2017-12-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/48
登记生效日 : 20171122
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-12-12 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/48
登记生效日 : 20171122
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2011-08-31 ：

授权

2010-04-14 ：

实质审查的生效

号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101000899929
IPC(主分类) : H01C 1/012
专利申请号 : 2006800049736
申请日 : 20060208

2010-02-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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