一种氮化钽薄膜电阻器制造设备
授权
摘要
本实用新型公开一种氮化钽薄膜电阻器制造设备，属于电阻器制造技术领域。所述氮化钽薄膜电阻器制造设备包括真空室、旋转装置、抽气泵组、供气装置、磁控装置、热阻蒸发装置、AR离子清洗装置和电子束蒸发装置；所述抽气泵组和所述供气装置均穿过所述真空室，并与其内部连通，分别用于抽出所述真空室内的空气和充入稀有气体；所述抽气泵组保证所述真空室处于真空状态，使AR离子旋转清洗、氮化钽薄膜电阻层镀膜、钛金属镀膜、贵金属镀膜和蚀刻图形的制备工艺均在真空条件下完成，与传统自然环境下的常规制备工艺相比，生产出的氮化钽薄膜电阻器合格率更高，使用寿命更长，且生产效率也大大提高。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化钽薄膜电阻器制造设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922404399.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN210805387U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
林鹏赵培
申请人 ：
无锡奥夫特光学技术有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市梁溪区会北路26-17
代理机构 ：
无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨立秋
优先权 ：
CN201922404399.0
主分类号 ：
H01C17/075
IPC分类号 ：
H01C17/075 H01C17/08 H01C17/12 C23C14/35 C23C14/26 C23C14/30 C23C14/06 C23C14/14 C23C14/58
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01C
电阻器
H01C17/00
制造电阻器的专用设备或方法
H01C17/06
适用于在基片上涂敷电阻材料的
H01C17/075
用薄膜工艺的
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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