改性多孔质二氧化硅膜的制造方法、由该制造方法得到的改性多...
授权
摘要
本发明提供一种改性多孔质二氧化硅膜，其对多孔质二氧化硅膜，在减压(30kPa以下)下使具有至少各1个的疏水性基团(碳数1～6的烷基或C6H5基团)和可聚合性基团(氢原子、羟基或卤原子)的疏水性化合物进行气相聚合反应，使该膜中的空孔内壁生成疏水性聚合薄膜，由此得到该改性多孔质二氧化硅膜。该多孔质二氧化硅膜具有低介电常数及低折射率，且机械强度及疏水性得到改良。本发明还提供一种使用该多孔质二氧化硅膜的半导体装置。
基本信息
专利标题 ：
改性多孔质二氧化硅膜的制造方法、由该制造方法得到的改性多孔质二氧化硅膜、及含有该改性多孔质二氧化硅膜的半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101120436A
申请号 ：
CN200680005022.0
公开（公告）日 ：
2008-02-06
申请日 ：
2006-02-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
藤井宣年高村一夫三好秀典田中博文大池俊辅村上雅美窪田武司藏野义人
申请人 ：
株式会社爱发科;三井化学株式会社;东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
陈昕
优先权 ：
CN200680005022.0
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316 C01B33/12 H01L21/768 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2009-04-01 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2008-02-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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