具有复合导电基底的光电子结构
专利权的终止
摘要
本发明公开了光电子装置模块、阵列光电子装置模块和光电子装置模块的制造方法。该装置模块使用起始基底制成，该起始基底具有夹在由挠性块体导体制成的底部电极和导电底板之间的绝缘层。活性层位于底部电极和透明导电层之间。透明导电层和底板之间的一个或多个电接触件形成为穿过透明导电层、活性层、挠性块体导体和绝缘层。电接触件与活性层、底部电极和绝缘层电隔离。
基本信息
专利标题 ：
具有复合导电基底的光电子结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101128941A
申请号 ：
CN200680006141.8
公开（公告）日 ：
2008-02-20
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
詹姆斯·R·希茨萨姆·高格雷戈里·米勒马丁·R·罗司挈森
申请人 ：
纳米太阳能公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
付建军
优先权 ：
CN200680006141.8
主分类号 ：
H01L31/062
IPC分类号 ：
H01L31/062 H01L21/00
法律状态
2017-03-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101707181538
IPC(主分类) : H01L 31/0392
专利号 : ZL2006800061418
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20120418
终止日期 : 20160120
号牌文件序号 : 101707181538
IPC(主分类) : H01L 31/0392
专利号 : ZL2006800061418
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20120418
终止日期 : 20160120
2012-04-18 ：
授权
2008-04-16 ：
实质审查的生效
2008-02-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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