具有原位嵌入的纳米层以改善机械性能的低k电介质CVD膜形...
授权
摘要
提供一种材料叠层(12)，该材料叠层(12)包含具有约1E－10米/秒或更大的断裂速度的一个或更多个膜(14)和在一个或更多个膜(14)内或与其直接接触的至少一个单层(16)，其中，至少一个单层(16)将材料叠层(12)的断裂速度降低到小于1E－10米/秒的值。一个或更多个膜(14)不限于低k电介质，而可包含诸如金属的材料。在优选的实施例中，提供具有约3.0或更小的有效介电常数k的低k电介质叠层(12)，其中，通过将至少一个纳米层(16)引入电介质叠层(12)中，叠层(12)的机械性能得到改善。在不明显增加叠层(12)内的膜的介电常数并且不需要使本发明的电介质叠层(12)经受任何后处理步骤的情况下，机械性能的改善得到实现。
基本信息
专利标题 ：
具有原位嵌入的纳米层以改善机械性能的低k电介质CVD膜形成工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101138085A
申请号 ：
CN200680007406.6
公开（公告）日 ：
2008-03-05
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宋·V.·恩古彦萨拉赫·L.·雷恩埃里克·G.·里尼格尔井田健作达里尔·D.·雷斯塔诺
申请人 ：
国际商业机器公司;索尼株式会社
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
康建忠
优先权 ：
CN200680007406.6
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/52 H01L29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2013-03-27 ：
授权
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2008-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
