形成凹进式通路装置的方法
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摘要
本发明包含形成凹进式通路装置(180、182、184、186)的方法。提供衬底(102)以在其中具有凹进式通路装置沟渠。一对所述凹进式通路装置沟渠(110)彼此邻近。在所述凹进式通路装置沟渠内形成导电材料(144)，且在所述导电材料附近形成源极/漏极区(170、172、174、176、178、180)。将所述导电材料和源极/漏极区一起并入到一对邻近的凹进式通路装置中。在所述衬底内形成所述凹进式通路装置沟渠之后，在所述邻近的凹进式通路装置之间形成隔离区沟渠(130)，并用电绝缘材料(136)填充以形成沟渠式隔离区。
基本信息
专利标题 ：
形成凹进式通路装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101147257A
申请号 ：
CN200680009171.4
公开（公告）日 ：
2008-03-19
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
库纳尔·R·帕雷克苏拉杰·马修吉吉什·D·特里维迪约翰·K·扎胡拉克珊·D·唐
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王允方
优先权 ：
CN200680009171.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2009-09-02 ：
授权
2008-05-14 ：
实质审查的生效
2008-03-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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