利用保护性通路盖层形成半导体器件的双镶嵌布线的方法
授权
摘要
本发明的示例性实施例总体上包括利用双镶嵌方法形成多层金属互连结构的方法，该双镶嵌方法包含了通路覆盖工艺从而保护下部互连线免受由于下部互连线无意中暴露于蚀刻气氛所造成的例如蚀刻损坏或氧化的影响。
基本信息
专利标题 ：
利用保护性通路盖层形成半导体器件的双镶嵌布线的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835206A
申请号 ：
CN200610007141.1
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-02-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金在鹤李宣姃李承珍
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610007141.1
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2009-12-30 ：
授权
2008-04-02 ：
实质审查的生效
2007-01-24 ：
发明专利申请公布说明书更正
更正卷 : 22
号 : 38
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2005.09.09 US 11/223,311
号 : 38
页码 : 扉页
更正项目 : 优先权
误 : 缺少优先权第二条
正 : 2005.09.09 US 11/223,311
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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