副安装座及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种具有钎焊接合时的浸润性良好的电极层的副安装座和其制造方法。在搭载半导体装置的副安装座(1)中，在副安装座基板(2)的表面上形成基板保护层(3)，在基板保护层(3)上形成电极层(4)，在电极层(4)上形成钎焊层(5)，使电极层(4)的表面的平均粗糙度为低于0.1μm。由于电极层(4)的表面平均粗糙度较小，所以钎焊层(5)的浸润性提高，能够无焊剂地将钎焊层(5)与半导体装置之间牢固地接合。能够得到在搭载了半导体装置时热阻较小的副安装座(1)，半导体装置的温度上升变小，半导体装置的性能及寿命提高。
基本信息
专利标题 ：
副安装座及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101194359A
申请号 ：
CN200680012991.9
公开（公告）日 ：
2008-06-04
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
大鹿嘉和中野雅之
申请人 ：
同和电子科技有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈建全
优先权 ：
CN200680012991.9
主分类号 ：
H01L23/12
IPC分类号 ：
H01L23/12 H01L21/52 B23K35/30
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/12
安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
法律状态
2020-03-10 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/12
申请日 : 20060317
授权公告日 : 20120418
终止日期 : 20190317
申请日 : 20060317
授权公告日 : 20120418
终止日期 : 20190317
2012-04-18 ：
授权
2008-07-30 ：
实质审查的生效
2008-06-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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