低阻单晶寿命测试仪

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种低阻单晶寿命测试仪，该测试仪包括样品测试台、主机和示波器，样品测试台设置于主机的上面，主机与示波器连接，样品测试台底座上设有光源电极台和测试台支柱，测试台支柱底部设置有防滑套，测试台支柱上部设置有样品台悬臂，测试台支柱与样品台悬臂通过锁紧螺栓锁定，样品台悬臂与样品台连接，样品台悬臂侧部依次设有阻力调节旋钮、粗调手轮和微调手轮，样品台中间设有样品测量口，光源电极台中设有两弹性电极，中间为红外发光管出光口。本实用新型是一种可以测量电阻率低至0.03Ω·cm的锗单晶少子寿命的专用测试仪，同样可以用来测量低阻硅单晶少子寿命，本实用新型将少子寿命测量延伸到低阻10^－2Ω·cm。

基本信息

专利标题：

低阻单晶寿命测试仪

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200720059959.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2007-11-23

授权号：

CN201110882Y

授权日：

2008-09-03

发明人：

王昕王世进张郁华

申请人：

广州市昆德科技有限公司

申请人地址：

510640广东省广州市天河区五山华南理工大学国家大学科技园(北区)2号楼204室

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司

代理人：

裘晖

优先权：

CN200720059959.8

主分类号：

G01R31/265

IPC分类号：

G01R31/265