侧射型发光二极管
专利权的终止
摘要
一种侧射型发光二极管，由基板、折射层、底面发光的发光器件与透光层所组成。该折射层载设于该基板。底面发光的发光器件面积小于该折射层的面积，并且载设于该折射层上。该透光层覆盖于该发光器件与该折射层上，发光器件通电以发出光源后，光源先向下入射于该折射层后，再自折射层向外折射至该透光层，让发光器件的正向与侧向光源一起激发，以提升整体亮度。
基本信息
专利标题 ：
侧射型发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720310021.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-12-04
授权号 ：
CN201134442Y
授权日 ：
2008-10-15
发明人 ：
陈锦庆张正宜林明魁蔡志嘉
申请人 ：
亿光电子工业股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省台北县土城市中央路三段76巷25号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁挥
优先权 ：
CN200720310021.9
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2016-01-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101643890689
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007203100219
申请日 : 20071204
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20141204
号牌文件序号 : 101643890689
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2007203100219
申请日 : 20071204
授权公告日 : 20081015
终止日期 : 20141204
2008-10-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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