侧射型发光二极管装置
专利权的终止
摘要
本实用新型是有关于一种侧射型发光二极管装置，其包括一侧射型封装支架。一发光二极管晶片借固晶、焊线及封胶于侧射型封装支架的凹陷内。发光二极管晶片的长度介于270－1600μm之间。发光二极管晶片的宽度介于150－380μm之间。当发光二极管晶片的长宽比(长度/宽度)大于或等于1.8，侧射型发光二极管装置的整体出光效果较佳。
基本信息
专利标题 ：
侧射型发光二极管装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620131514.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-08-17
授权号 ：
CN200956374Y
授权日 ：
2007-10-03
发明人 ：
赖永祥林治民庄世任
申请人 ：
亿光电子工业股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北县土城市中央路三段76巷25号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200620131514.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00
法律状态
2012-10-31 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101339160245
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006201315141
申请日 : 20060817
授权公告日 : 20071003
终止日期 : 20110817
号牌文件序号 : 101339160245
IPC(主分类) : H01L 33/00
专利号 : ZL2006201315141
申请日 : 20060817
授权公告日 : 20071003
终止日期 : 20110817
2007-10-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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