双口RAM实现闪存控制器缓存的结构
专利权的终止
摘要

一种双口RAM实现高速闪存控制器缓存的结构,包括IDE接口控制逻辑、IDE寄存器、IDE缓存区、处理器、Flash接口控制逻辑、Flash缓存区以及FPGA外围电路,其中IDE寄存器与IDE缓存区构成一个IDE接口缓存区,IDE接口缓存区和Flash缓存区均包括两个完全独立的控制口。本实用新型可实现随机地址读写,数据读写的效率高。

基本信息
专利标题 :
双口RAM实现闪存控制器缓存的结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820029551.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-07-03
授权号 :
CN201218944Y
授权日 :
2009-04-08
发明人 :
刘升李喜军王永强
申请人 :
西安奇维测控科技有限公司
申请人地址 :
710077陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园C区8号奇维科技
代理机构 :
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 :
康 凯
优先权 :
CN200820029551.0
主分类号 :
G06F3/06
IPC分类号 :
G06F3/06  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F3/048
基于图形用户界面的交互技术
G06F3/06
来自记录载体的数字输入,或者到记录载体上去的数字输出
法律状态
2013-08-21 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101508924902
IPC(主分类) : G06F 3/06
专利号 : ZL2008200295510
申请日 : 20080703
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20120703
2011-11-23 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101211907115
IPC(主分类) : G06F 3/06
专利号 : ZL2008200295510
变更事项 : 专利权人
变更前 : 西安奇维测控科技有限公司
变更后 : 西安奇维科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 710077 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园C区8号奇维科技
变更后 : 710077 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园C区8号奇维科技
2009-04-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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