带有多缺陷电磁带隙结构的高频结构
避免重复授权放弃专利权
摘要

本实用新型公开一种带有多缺陷电磁带隙结构的高频结构,包括电磁带隙结构,所述电磁带隙结构上设有输入端口和输出端口,所述电磁带隙结构包括腔体,在腔体内设有金属隔板、电子注通道及金属柱,其特征在于金属柱围绕电子注通道呈晶格分布排列,内圈金属柱的直径比外圈金属柱的直径大。本实用新型采用多缺陷电磁带隙结构,实现了器件在大直径/周期比下的单模工作状态和高Q值工作状态,同时克服了小直径/周期比给制造工艺带来的困难,具有更好的散热特性;工作带宽比原有相同尺寸电磁带隙结构的高频结构的工作带宽明显增大,优化了原有高频结构的色散特性。

基本信息
专利标题 :
带有多缺陷电磁带隙结构的高频结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820032671.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-02-26
授权号 :
CN201156572Y
授权日 :
2008-11-26
发明人 :
柏宁丰孙小菡
申请人 :
东南大学
申请人地址 :
210096江苏省南京市四牌楼2号
代理机构 :
南京经纬专利商标代理有限公司
代理人 :
陆志斌
优先权 :
CN200820032671.6
主分类号 :
H01P1/207
IPC分类号 :
H01P1/207  H01P3/00  H01Q13/00  
法律状态
2011-01-12 :
避免重复授权放弃专利权
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101060299552
IPC(主分类) : H01P 1/207
专利号 : ZL2008200326716
申请日 : 20080226
授权公告日 : 20081126
放弃生效日 : 20080226
2008-11-26 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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