PNP型大电流大功率多芯片达林顿晶体管

专利权的终止

摘要

本实用新型涉及一种半导体功率晶体管技术，尤其是指一种PNP型大电流大功率多芯片达林顿晶体管。按照本实用新型提供的技术方案，在底板上有铜块，在铜块上有管芯，在底板上设置晶体管基极的引出脚和发射极的引出脚，其特征是：所述管芯至少有3个，每个管芯分别利用内引线与晶体管基极的引出脚和发射极的引出脚连接。本实用新型利用多个PNP型达林顿大功率管芯装片焊接在特大铜块的金属管座上，制造出大电流大功率的PNP型达林顿晶体管。

基本信息

专利标题：

PNP型大电流大功率多芯片达林顿晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820037516.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-06-06

授权号：

CN201210492Y

授权日：

2009-03-18

发明人：

龚利汀钱晓平龚利贞

申请人：

无锡固电半导体股份有限公司

申请人地址：

214028江苏省无锡市新区新梅路68号

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所

代理人：

曹祖良

优先权：

CN200820037516.3

主分类号：

H01L25/00

IPC分类号：

H01L25/00 H01L25/07 H01L23/488

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L25/00

由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件

法律状态

2012-07-25 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101304529911
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2008200375163
申请日 : 20080606
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20110606

2009-03-18 ：

授权

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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