托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托
专利权的终止
摘要

本实用新型涉及一种与多晶硅铸锭领域用的坩埚配套的附属装置,特别是涉及托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托。本实用新型的技术方案由没有安装缝隙的连为一体的坩埚托侧壁与坩埚托底板组成,坩埚托侧壁围绕的分布在坩埚托底板的四周边缘;坩埚托侧壁与坩埚托底板共同围成一个可放置多晶硅生产领域用的坩埚的下部的空腔。多晶硅生产领域用的坩埚的下部可放置在空腔中。本实用新型在多晶硅生产领域,首先使用了一体化的坩埚托设计。本实用新型可以起到固定石英坩埚形状的作用,又可以防止当硅液发生漏流时,漏流出石英坩埚的硅料被该坩埚托盘盛住,从而消除了硅液漏流可能会引起的重大安全隐患。

基本信息
专利标题 :
托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820137425.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-08-22
授权号 :
CN201245726Y
授权日 :
2009-05-27
发明人 :
万跃鹏
申请人 :
江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址 :
338000江西省新余市高新经济开发区赛维工业园
代理机构 :
江西省专利事务所
代理人 :
杨志宇
优先权 :
CN200820137425.7
主分类号 :
C30B28/06
IPC分类号 :
C30B28/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/06
正常凝固法或温度梯度凝固法
法律状态
2018-09-14 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 28/06
申请日 : 20080822
授权公告日 : 20090527
2011-08-10 :
专利实施许可合同备案的生效、变更及注销
专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101121305699
IPC(主分类) : C30B 28/06
专利申请号 : 2008201374257
专利号 : ZL2008201374257
合同备案号 : 2011360000045
让与人 : 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
受让人 : 江西赛维LDK光伏硅科技有限公司
实用新型名称 : 托在多晶硅生产领域用的坩埚下部的防漏流的坩埚托
申请日 : 20080822
授权公告日 : 20090527
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 20110616
2009-05-27 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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