用于确定微结晶能量密度的阈值的方法及光分析装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种用于将无定形硅膜变为多晶硅膜的方法包括下述步骤：将细长的脉冲激光束辐射到硅膜上，同时在垂直于细长的脉冲激光束的长轴的方向上扫描，从而形成多个辐射区域；在平行于长轴的方向上将平面光辐射到辐射区域上；以及分析来自辐射区域的反射光的分布，从而确定微结晶阈值。使用该阈值进一步确定用于状态改变工序的细长的脉冲激光束的能量密度。
基本信息
专利标题 ：
用于确定微结晶能量密度的阈值的方法及光分析装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101521156A
申请号 ：
CN200910118260.8
公开（公告）日 ：
2009-09-02
申请日 ：
2006-02-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
奥村展
申请人 ：
NEC液晶技术株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
谷惠敏
优先权 ：
CN200910118260.8
主分类号 ：
H01L21/268
IPC分类号 ：
H01L21/268 H01L21/20 G01N21/25 G01N21/55
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/268
应用电磁辐射的，例如激光辐射
法律状态
2011-08-24 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101178704001
IPC(主分类) : H01L 21/268
专利申请号 : 2009101182608
公开日 : 20090902
号牌文件序号 : 101178704001
IPC(主分类) : H01L 21/268
专利申请号 : 2009101182608
公开日 : 20090902
2010-07-21 ：
专利申请权、专利权的转移
专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003435863
IPC(主分类) : H01L 21/268
专利申请号 : 2009101182608
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : NEC液晶技术株式会社
变更后权利人 : 日本电气株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县川崎市
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20100613
号牌文件序号 : 101003435863
IPC(主分类) : H01L 21/268
专利申请号 : 2009101182608
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : NEC液晶技术株式会社
变更后权利人 : 日本电气株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本神奈川县川崎市
变更后权利人 : 日本东京
登记生效日 : 20100613
2009-10-28 ：
实质审查的生效
2009-09-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN101521156A.PDF
PDF下载
