半导体光调制器
授权
摘要
提供一种具有n-i-n结构半导体光调制器的特点、又能稳定工作，而且对电场的耐压性优良的半导体光调制器。其包括依次层叠n型InP包层(11)、具有电光效应的半导体芯层(13)、p-InAlAs层(15)、以及n型InP包层(16)而形成的波导结构。p-InAlAs层(15)的电子亲和力小于n型InP包层(16)的电子亲和力。在如此构成的波导结构中，还可以分别在n型InP包层(11)和半导体芯层(13)之间设置未掺杂的InP包层(12)，在半导体芯层(13)和p-InAlAs层(15)之间设置未掺杂的InP包层(14)。
基本信息
专利标题 ：
半导体光调制器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN102033333A
申请号 ：
CN201010573435.7
公开（公告）日 ：
2011-04-27
申请日 ：
2006-03-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
都筑健菊池顺裕山田英一
申请人 ：
日本电信电话株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
余朦
优先权 ：
CN201010573435.7
主分类号 ：
G02F1/017
IPC分类号 ：
G02F1/017
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/015
基于至少有一个跃迁势垒的半导体元件的，例如，PN、PIN结
G02F1/017
具有周期性或准周期性电势变化的结构，例如超点阵结构、量子阱
法律状态
2012-09-05 ：
授权
2011-06-15 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101079140280
IPC(主分类) : G02F 1/017
专利申请号 : 2010105734357
申请日 : 20060308
号牌文件序号 : 101079140280
IPC(主分类) : G02F 1/017
专利申请号 : 2010105734357
申请日 : 20060308
2011-04-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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