集成有调制器的半导体激光器件
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供了一种集成有调制器的半导体激光器件。在该集成有调制器的半导体激光器件中，在衬底上形成下DBR(分布式布拉格反射器)层，有源层形成于下DBR层上并包括交替的多个势垒层和多个量子阱层，外镜与有源层的顶部隔开，从而通过透射输出从所述有源层发射的光的一部分并将剩余部分反射到所述有源层。接触所述多个量子阱层中至少一个的两侧的所述多个势垒层中的两个以不同的类型掺杂。
基本信息
专利标题 ：
集成有调制器的半导体激光器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822457A
申请号 ：
CN200610005187.X
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金泽
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610005187.X
主分类号 ：
H01S5/10
IPC分类号 ：
H01S5/10 H01S5/32 H01S5/34 H01S5/026 H01S5/04 H01S5/00
法律状态
2010-01-27 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-03-05 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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