成膜装置、成膜方法以及有机电发光元件的制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种成膜装置、成膜方法以及有机电发光(EL)元件的制造方法。成膜装置是包括成膜材料的供应源和形成所述成膜材料的膜的基板的成膜装置,其包括:能够在相对于所述基板的表面进行接近及离开的方向移动而配置在所述基板的表面侧的掩模(36)、能够在相对于所述基板的背面进行接近及离开的方向移动而配置在所述基板的背面侧的磁铁(22)、以及将所述磁铁(22)的移动限制在规定范围内的移动限制装置(24)。
基本信息
专利标题 :
成膜装置、成膜方法以及有机电发光元件的制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN103820755A
申请号 :
CN201410065916.5
公开(公告)日 :
2014-05-28
申请日 :
2006-02-22
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
片冈达哉长尾兼次齐藤谦一
申请人 :
三井造船株式会社;长州产业株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京市柳沈律师事务所
代理人 :
张劲松
优先权 :
CN201410065916.5
主分类号 :
C23C14/24
IPC分类号 :
C23C14/24 C23C14/04 H01L51/50 H05B33/10
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2016-08-17 :
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101737363200
IPC(主分类) : C23C 14/24
专利申请号 : 2014100659165
申请公布日 : 20140528
号牌文件序号 : 101737363200
IPC(主分类) : C23C 14/24
专利申请号 : 2014100659165
申请公布日 : 20140528
2014-06-25 :
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101583213918
IPC(主分类) : C23C 14/24
专利申请号 : 2014100659165
申请日 : 20060222
号牌文件序号 : 101583213918
IPC(主分类) : C23C 14/24
专利申请号 : 2014100659165
申请日 : 20060222
2014-05-28 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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