成膜方法和成膜装置、自发光元件的制造方法和制造装置
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明的课题是，在通过电子束蒸镀来形成金属薄膜时，防止二次电子等到达被成膜面，并且防止阳离子到达被成膜面，从而避免金属薄膜处于带电状态。作为解决手段，一种成膜装置，通过电子束蒸镀而在基板(1)的被成膜面(1a)上形成Al等的金属薄膜，具有通过电子束发生器(电子枪)把电子束EB照射到收容在成膜源(2)内的金属材料(3)上的电子束照射单元(4)，并且具有电荷轨迹变更单元(5)，其变更通过向成膜源(2)照射电子束而产生的电子Es和阳离子Po的前进轨迹，使得不会到达被成膜面(1a)。
基本信息
专利标题 ：
成膜方法和成膜装置、自发光元件的制造方法和制造装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1824827A
申请号 ：
CN200510132966.1
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2005-12-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丹博树
申请人 ：
日本东北先锋公司
申请人地址 ：
日本山形县
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄纶伟
优先权 ：
CN200510132966.1
主分类号 ：
C23C14/30
IPC分类号 ：
C23C14/30
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
2008-12-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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