切割片及切割片的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种切割片及切割片的制造方法，所述切割片为具有基材薄膜2和层叠于基材薄膜2的单面的粘着剂层3的切割片1，基材薄膜2至少具有位于距粘着剂层3最近部分的树脂层21，构成树脂层21的树脂熔点为60℃以上、170℃以下，上述树脂熔点和流体化温度的差为40℃以上、190℃以下。这种切割片1不需照射放射线即可制造，可抑制丝状切削片的产生并呈现良好的扩张性。
基本信息
专利标题 ：
切割片及切割片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108140566A
申请号 ：
CN201680056932.5
公开（公告）日 ：
2018-06-08
申请日 ：
2016-02-02
授权号 ：
CN108140566B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
河原田有纪田矢直纪
申请人 ：
琳得科株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晶
优先权 ：
CN201680056932.5
主分类号 ：
H01L21/301
IPC分类号 ：
H01L21/301 C09J7/24 C09J7/29
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/301
把半导体再细分成分离部分，例如分隔
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2018-07-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/301
申请日 : 20160202
申请日 : 20160202
2018-06-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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