电熵存储器设备

授权

摘要

本文公开了包括电熵存储设备(EESD)的阵列的电熵存储器设备的实施例，以及制作和使用所述电熵存储器设备的方法。所述存储器设备包括按行布置以选择一行EESD的多个地址线，以及按列布置以选择一列EESD的多个数据线，其中每个EESD都串联地耦合在被连接至所述EESD的一侧的地址线和被连接至所述EESD的相对侧的数据线之间。所述存储器设备可以具有包括多层地址线、数据线和EESD的堆叠架构。所公开的电熵存储器设备可以在ROM和RAM模式下操作。所公开的电熵存储器设备中的EESD可以包括2‑4096个逻辑状态，和/或具有0.001kb/cm3至1024TB/cm3的密度。

基本信息

专利标题：

电熵存储器设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108292514A

申请号：

CN201680069884.3

公开（公告）日：

2018-07-17

申请日：

2016-11-04

授权号：

CN108292514B

授权日：

2022-04-29

发明人：

D·R·卡弗S·C·霍尔C·K·安德烈庞特S·W·雷诺兹J·H·吉布斯B·W·富尔费尔

申请人：

卡弗科学有限公司

申请人地址：

美国路易斯安那州

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王英

优先权：

CN201680069884.3

主分类号：

G11C11/24

IPC分类号：

G11C11/24 G11C13/00