存储器设备
授权
摘要

本公开的实施例涉及存储器设备。存储器设备包括在虚拟电源和虚拟接地节点之间被供电的存储器阵列。伪存储器阵列在第一和第二节点之间被供电。虚拟电源发生电路根据第一控制电压在虚拟电源节点处生成虚拟电源电压。虚拟接地发生电路根据第二控制电压在虚拟接地节点处生成虚拟接地。耦合在第一节点和电源电压之间的第一控制电压发生电路随着跟踪存储器阵列的保持噪声容限(RNM)而生成第一控制电压,第一控制电压随着RNM的减小而下降。耦合在第二节点和接地之间的第二控制电压发生电路随着跟踪存储器阵列的RNM而生成第二控制电压,第二控制电压随着RNM的减小而上升。通过本公开的实施例,存储器设备的RNM增加,泄漏电流减少,从而功耗降低。

基本信息
专利标题 :
存储器设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020511686.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-04-09
授权号 :
CN211828134U
授权日 :
2020-10-30
发明人 :
A·库玛M·A·阿拉姆
申请人 :
意法半导体国际有限公司
申请人地址 :
瑞士日内瓦
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
董莘
优先权 :
CN202020511686.1
主分类号 :
G11C11/417
IPC分类号 :
G11C11/417  G11C11/412  G11C5/14  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的,即,不需要刷新或电荷再生的单元。例如,双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路,例如,用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
法律状态
2020-10-30 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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