具有金属填充的深源极触点的功率MOSFET
授权
摘要
本申请公开了一种平面栅功率MOSFET(100)，所述平面栅功率MOSFET包括：衬底(105)，其具有以第一导电类型掺杂的半导体表面(108)；多个晶体管单元(单元)，其包括各自具有在本体区(113)上方的栅极堆叠(111a/112、111b/112)的第一单元(110a)和至少第二单元(110b)。沟槽具有＞3的纵横比，在所述栅极堆叠之间从所述半导体表面的顶侧向下延伸，从而提供从以第二导电类型掺杂的源极(127)到所述衬底的源极触点(SCT)(120)。场板(FP)(128)位于所述栅极堆叠上方，其提供用于所述沟槽的内衬。所述沟槽具有位于其内部的难熔金属或铂族金属(PGM)金属填料(122)。以所述第二导电类型掺杂的漏极(132)位于与所述沟槽相对的所述栅极堆叠侧面上的所述半导体表面中。
基本信息
专利标题 ：
具有金属填充的深源极触点的功率MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110521001A
申请号 ：
CN201680079272.2
公开（公告）日 ：
2019-11-29
申请日 ：
2016-01-18
授权号 ：
CN110521001B
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
林福任F·贝奥奇Y·刘L·刘T·吕P·林H·林
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵志刚
优先权 ：
CN201680079272.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78
法律状态
2022-05-24 ：
授权
2019-12-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20160118
申请日 : 20160118
2019-11-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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