用于基底的气相羟基自由基加工的系统和方法
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摘要
本申请涉及用于基底的气相羟基自由基加工的系统和方法。用于加工基底的装置和方法。该方法包括将基底设置在基底加工系统的加工室内。所述基底包括在基底的工作表面上的含碳材料的层。该方法还包括在基底加工系统的蒸气处理区中接收过氧化氢蒸气，通过在蒸气处理区中处理过氧化氢蒸气来产生羟基自由基蒸气，以及将羟基自由基蒸气和剩余的过氧化氢蒸气引导至基底的工作表面，使含碳材料被化学改性。
基本信息
专利标题 ：
用于基底的气相羟基自由基加工的系统和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107180774A
申请号 ：
CN201710137464.0
公开（公告）日 ：
2017-09-19
申请日 ：
2017-03-09
授权号 ：
CN107180774B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
伊安·J·布朗华莱士·P·普林茨
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡胜有
优先权 ：
CN201710137464.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2019-04-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20170309
申请日 : 20170309
2017-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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