晶体振荡器及晶体振荡器的制造方法
授权
摘要
本发明提供一种晶体振荡器以及晶体振荡器的制造方法。本发明的目的在于使具有温度传感器的晶体振荡器的频率精度提高。本发明提供晶体振荡器(1)，包括：晶体振动片(20)；半导体芯片(30)，具有用以使所述晶体振动片(20)振荡的振荡电路(321)、及连接于所述振荡电路(321)且设置于所述晶体振动片(20)的一侧的面的第一凸块(343)；以及温度传感器元件(40)，接合于所述第一凸块(343)。而且，所述半导体芯片(30)具有多个引线接合用焊垫(35)，所述多个引线接合用焊垫(35)设置于所述晶体振动片(20)侧的面的所述第一凸块(343)的两侧。
基本信息
专利标题 ：
晶体振荡器及晶体振荡器的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107453751A
申请号 ：
CN201710332290.3
公开（公告）日 ：
2017-12-08
申请日 ：
2017-05-11
授权号 ：
CN107453751B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
国友大裕
申请人 ：
日本电波工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京涉谷区笹塚1-47-1
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
马爽
优先权 ：
CN201710332290.3
主分类号 ：
H03L1/04
IPC分类号 ：
H03L1/04
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2019-03-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03L 1/04
申请日 : 20170511
申请日 : 20170511
2017-12-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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