多值存储器的实现方法
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摘要
本发明提出一种多值存储器的实现方法,包括:多个存储模块组成的多值存储区;行译码模块;带有D/A转换的列写入电路模块与带有A/D转换的列读出电路模块;其中,所述存储模块包括多个存储单元与复位驱动电路;所述存储单元至少包括:一个开关管和一个与所述开关管相连的表面势钉扎的PN结电容;所述复位驱动电路至少包括:一个复位管和一个驱动管。
基本信息
专利标题 :
多值存储器的实现方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109256157A
申请号 :
CN201710565238.2
公开(公告)日 :
2019-01-22
申请日 :
2017-07-12
授权号 :
CN109256157B
授权日 :
2022-04-01
发明人 :
赵立新
申请人 :
格科微电子(上海)有限公司
申请人地址 :
上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201710565238.2
主分类号 :
G11C5/02
IPC分类号 :
G11C5/02 G11C5/06 G11C7/10 G11C7/16 G11C29/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C5/00
包括在G11C11/00组中的存储器零部件
G11C5/02
存储元件的排列,例如,矩阵形式的排列
法律状态
2022-04-01 :
授权
2019-09-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 5/02
申请日 : 20170712
申请日 : 20170712
2019-01-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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