多值存储器的实现方法

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摘要

本发明提出一种多值存储器的实现方法，包括：多个存储模块组成的多值存储区；行译码模块；带有D/A转换的列写入电路模块与带有A/D转换的列读出电路模块；其中，所述存储模块包括多个存储单元与复位驱动电路；所述存储单元至少包括：一个开关管和一个与所述开关管相连的表面势钉扎的PN结电容；所述复位驱动电路至少包括：一个复位管和一个驱动管。

基本信息

专利标题：

多值存储器的实现方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN109256157A

申请号：

CN201710565238.2

公开（公告）日：

2019-01-22

申请日：

2017-07-12

授权号：

CN109256157B

授权日：

2022-04-01

发明人：

赵立新

申请人：

格科微电子（上海）有限公司

申请人地址：

上海市浦东新区盛夏路560号2号楼11楼

代理机构：

代理人：

优先权：

CN201710565238.2

主分类号：

G11C5/02

IPC分类号：

G11C5/02 G11C5/06 G11C7/10 G11C7/16 G11C29/00