一种微应变石墨烯传感器及其制造方法
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摘要

本发明提供了一种石墨烯传感器,包括:石墨烯敏感层和柔性基底层,石墨烯敏感层位于柔性基底层上,柔性基底层具有垂直贯穿柔性基底层的镂空式形变敏感区。通过设置镂空式形变敏感区,提高了石墨烯传感器的灵敏度,又能对敏感元件本身进行有效保护。

基本信息
专利标题 :
一种微应变石墨烯传感器及其制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109425447A
申请号 :
CN201710785093.7
公开(公告)日 :
2019-03-05
申请日 :
2017-09-04
授权号 :
CN109425447B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
杨德智
申请人 :
北京清正泰科技术有限公司
申请人地址 :
北京市海淀区清华大学学研大厦B座705
代理机构 :
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
陈超
优先权 :
CN201710785093.7
主分类号 :
G01L1/20
IPC分类号 :
G01L1/20  G01L9/02  A61B5/02  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量;测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/20
通过测量固体材料或导电流体欧姆电阻变化;应用动力电池,即施加应力后会产生或改变其电位的液体电池
法律状态
2022-05-17 :
授权
2020-09-25 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01L 1/20
申请日 : 20170904
2019-03-05 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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