改善的功率MOS
授权
摘要
一种改善的功率MOS。公开了一种制造器件的工艺。该工艺包括：在衬底上形成第一导电类型的外延层；在外延层中形成第二导电类型的第一垂直部分；通过靠近第一垂直部分垂直刻蚀来创建第一垂直沟槽；用第一类型氧化物填充第一垂直沟槽；在第一垂直沟槽中形成第二垂直沟槽。第二垂直沟槽由第一垂直沟槽中的第一类型氧化物来限定。该工艺还包括：在第二垂直沟槽的内壁上形成第二类型氧化物；用多晶硅填充第二垂直沟槽。在外延层的垂直靠近第一垂直沟槽的第二垂直部分中，通过注入第一导电类型的离子来创建本体区，并且通过在本体区的顶层中注入离子来创建源极区。
基本信息
专利标题 ：
改善的功率MOS
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107819035A
申请号 ：
CN201710830399.X
公开（公告）日 ：
2018-03-20
申请日 ：
2017-09-13
授权号 ：
CN107819035B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
史蒂文·托马斯·皮克
申请人 ：
安世有限公司
申请人地址 ：
荷兰奈梅亨
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾丽波
优先权 ：
CN201710830399.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L21/336
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-09-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/78
申请日 : 20170913
申请日 : 20170913
2018-03-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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