一种通过连接孔改善UIS的功率器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种通过连接孔改善UIS的功率器件。该方法在介质层上侧进行孔涂胶及曝光处理，在第一混合气体下将源区上侧的介质层和栅氧化层刻蚀出第一连接孔；在第二混合气体下将第一连接孔下侧的源区和体区内刻蚀出第二连接孔；向第二连接孔下侧的体区内进行孔注入和退火操作，以形成月牙状的接触区。本实用新型通过将源区连接孔分成两个步骤制作，在第二混合气体下刻蚀时，第二混合气体形成的保护膜较薄，进而将第二连接孔设置成圆形或椭圆形状，在进行孔注入和扩散后，形成的接触区呈月牙状，接触区分布的面积更广，有利于基区电阻的减小，从而防止寄生三极管的导通，进而提高了UIS能力，效果显著。
基本信息
专利标题 ：
一种通过连接孔改善UIS的功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920955855.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-24
授权号 ：
CN209843715U
授权日 ：
2019-12-24
发明人 ：
张雨陈虞平胡兴正刘海波
申请人 ：
南京华瑞微集成电路有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区江浦街道浦滨大道88号
代理机构 ：
南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
梁金娟
优先权 ：
CN201920955855.8
主分类号 ：
H01L29/417
IPC分类号 ：
H01L29/417 H01L27/088 H01L21/8234 H01L21/28
法律状态
2019-12-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
