用于存储器位单元中的动态读取操作的延迟保持器电路的泄漏感...
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摘要
公开了用于存储器位单元中的动态读取操作的延迟保持器电路的泄漏感知型激活控制。在一个方面中，提供了一种用于经配置以对存储器位单元执行读取操作的动态读取电路的泄漏感知型激活控制电路。为了防止或缓解所述延迟保持器电路与所述动态读取电路中的读取端口电路之间的争用以在起始读取操作时将动态节点拉动到相对的电压电平，所述泄漏感知型激活控制电路经配置以基于N型场效应晶体管NFET泄漏电流与P型FET PFET泄漏电流的比较而适应性地控制所述延迟保持器电路的激活定时。以此方式，所述泄漏感知型激活控制电路能够基于NFET和PFET的实际相对强度而适应性地调整所述延迟保持器电路的所述激活定时。
基本信息
专利标题 ：
用于存储器位单元中的动态读取操作的延迟保持器电路的泄漏感知型激活控制
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108780658A
申请号 ：
CN201780016843.2
公开（公告）日 ：
2018-11-09
申请日 ：
2017-03-02
授权号 ：
CN108780658B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
F·I·阿塔拉H·H·阮K·A·柏曼
申请人 ：
高通股份有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杨林勳
优先权 ：
CN201780016843.2
主分类号 ：
G11C11/419
IPC分类号 ：
G11C11/419 G11C7/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/413
辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的
G11C11/417
用于场效应型存储单元的
G11C11/419
读写电路
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2018-12-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/419
申请日 : 20170302
申请日 : 20170302
2018-11-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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