用电子束柱阵列测量叠对及边缘放置误差
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摘要

本文中呈现用电子束柱阵列来对多个裸片执行测量的方法及系统。沿与安置于晶片上的裸片行平行的方向扫描所述晶片。所述电子束测量柱沿柱对准方向在空间上分隔开。沿相对于所述柱对准方向以倾斜角定向的方向扫描所述晶片,使得在同一晶片通过期间每一电子束柱测量不同裸片上的相同裸片特征行。所述晶片是通过旋转所述晶片、旋转所述电子束柱或其两者而相对于所述电子束柱阵列定向。在其它方面中,使每一测量束偏转以校正每一柱与待测量的所述对应裸片行之间的对准误差且校正由晶片定位系统报告的晶片定位误差。

基本信息
专利标题 :
用电子束柱阵列测量叠对及边缘放置误差
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109690747A
申请号 :
CN201780054143.2
公开(公告)日 :
2019-04-26
申请日 :
2017-09-21
授权号 :
CN109690747B
授权日 :
2022-06-14
发明人 :
M·尼尔F·拉斯克
申请人 :
科磊股份有限公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚州
代理机构 :
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 :
刘丽楠
优先权 :
CN201780054143.2
主分类号 :
H01L21/66
IPC分类号 :
H01L21/66  H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-06-14 :
授权
2019-10-25 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20170921
2019-04-26 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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