具有保护膜形成层的切割膜片和芯片的制造方法
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摘要
本发明的课题是提供具有保护膜形成层的切割膜片，其可简便地制造具有厚度均匀性高、标记精度优良的保护膜的半导体芯片，并且可扩展，并且基材具有耐热性。本发明的解决方法是，本发明的具有保护膜形成层的切割膜片，其具有：基材膜、粘着剂层及保护膜形成层，并且，粘着剂层，以平面视至少形成于包围保护膜形成层的区域，并且，基材膜，包括如下(a)～(c)的特性：(a)熔点超过130℃，或者不具有熔点、(b)以130℃加热2小时时的热收缩率为‑5～+5％、(c)MD方向及CD方向的断裂伸长率为100％以上，25％应力为100MPa以下。
基本信息
专利标题 ：
具有保护膜形成层的切割膜片和芯片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108155142A
申请号 ：
CN201810059237.5
公开（公告）日 ：
2018-06-12
申请日 ：
2012-09-27
授权号 ：
CN108155142B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
篠田智则古馆正启高野健
申请人 ：
琳得科株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
冯志云
优先权 ：
CN201810059237.5
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/304 H01L21/78 H01L23/544 C09J7/40
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2018-07-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20120927
申请日 : 20120927
2018-06-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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