具有经沉积鳍主体的FinFET
授权
摘要
在多种应用中，电子设备、系统及方法可包含具有经沉积鳍主体的鳍场效应晶体管FinFET。此FinFET可经实施作为集成电路的电路中的存取晶体管。在实施例中，具有经沉积鳍主体的FinFET阵列可经安置在数字线上。对于构成于存储器的存储器单元中的具有经沉积鳍主体的FinFET阵列，所述数字线可耦合到感测放大器。揭示额外设备、系统及方法。
基本信息
专利标题 ：
具有经沉积鳍主体的FinFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108933086A
申请号 ：
CN201810473833.8
公开（公告）日 ：
2018-12-04
申请日 ：
2018-05-17
授权号 ：
CN108933086B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
W·军林
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN201810473833.8
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L27/11573 H01L27/144
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2018-12-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/336
申请日 : 20180517
申请日 : 20180517
2018-12-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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