半导体发光装置

授权

摘要

实施方式的半导体发光装置包括：导电性的衬底；及2个以上的发光体，并列设置在所述衬底上，且分别包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层。2个以上的发光体包含电连接于所述衬底的第1发光体、及串联连接于所述第1发光体的第2发光体。此外，本发明包括：第1电极，设置在所述第1发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第1发光体的第1半导体层及所述衬底；第2电极，设置在所述第2发光体与所述衬底之间，且电连接于所述第2发光体的第1半导体层；及第1配线，将所述第1发光体的第2半导体层与所述第2电极电连接。

基本信息

专利标题：

半导体发光装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN108807358A

申请号：

CN201810687787.1

公开（公告）日：

2018-11-13

申请日：

2016-03-10

授权号：

CN108807358B

授权日：

2022-05-03

发明人：

加贺广持田岛纯平岡俊行宫部主之

申请人：

阿尔发得株式会社

申请人地址：

日本东京

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

林斯凯

优先权：

CN201810687787.1

主分类号：

H01L25/075

IPC分类号：

H01L25/075 H01L27/15 H01L33/00 H01L33/36 H01L33/62