可视化的存储器芯片修补分析程式检验方法和装置
授权
摘要
本发明提供了一种可视化的存储器芯片修补分析程式检验方法和装置,所述方法包括:根据显示区域的参数显示存储器芯片包含的多个存储子模块的图形化结构,存储子模块包括多个阵列排列的存储单元;选取预设位置的存储单元为模拟失效存储单元,并记录模拟失效存储单元的位置;显示用于覆盖所述模拟失效存储单元的位置的失效单元显示标识;输入模拟失效存储单元的位置至修补分析程式中,得到修补方案,以获取修补存储单元的位置;显示用于覆盖所述修补存储单元的位置的修补单元显示标识;根据修补单元显示标识对失效单元显示标识的覆盖情况,生成分析报告。直观形象的展示了检验修补分析程式的整个过程以及检验结果,方便快捷且节省时间。
基本信息
专利标题 :
可视化的存储器芯片修补分析程式检验方法和装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110879931A
申请号 :
CN201811033976.3
公开(公告)日 :
2020-03-13
申请日 :
2018-09-05
授权号 :
CN110879931B
授权日 :
2022-04-05
发明人 :
汪锡
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 :
北京市铸成律师事务所
代理人 :
张臻贤
优先权 :
CN201811033976.3
主分类号 :
G06F30/36
IPC分类号 :
G06F30/36
IPC结构图谱
G
G部——物理
G06
计算;推算或计数
G06F
电数字数据处理
G06F30/36
模拟电路设计
法律状态
2022-04-05 :
授权
2020-04-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 30/36
申请日 : 20180905
申请日 : 20180905
2020-03-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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