集成电路修补算法确定方法及装置、存储介质、电子设备

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摘要

本公开涉及计算机技术领域，尤其涉及一种集成电路修补算法确定方法及装置、存储介质、电子设备。所述方法包括：获取待修补集成电路的失效测试单元数据；根据所述失效测试单元数据并结合由深度学习网络构建的类型分析模型获取所述待修补集成电路的失效单元分布类型；根据所述失效单元分布类型在修补算法库中获取各候选修补算法对所述失效单元分布类型的修补性能指标，并将所述修补性能指标最优的所述候选修补算法确定为目标修补算法。本公开使得对每个待修补集成电路的修补均可达到修补率最高、修补电路的使用数量最少、修补分析时间最短等，同时提高了修补效率和准确率，同时也降低了修补成本。

基本信息

专利标题：

集成电路修补算法确定方法及装置、存储介质、电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110968985A

申请号：

CN201811155358.6

公开（公告）日：

2020-04-07

申请日：

2018-09-30

授权号：

CN110968985B

授权日：

2022-05-13

发明人：

汪锡

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

袁礼君

优先权：

CN201811155358.6

主分类号：

G06F30/398

IPC分类号：

G06F30/398 G06N3/08