一种等几何材料密度场结构拓扑优化方法
授权
摘要
本发明属于结构优化技术领域，并公开了一种等几何材料密度场结构拓扑优化方法。包括：(a)给定设计域作为待优化对象，构建与设计域对应的NURBS曲面；(b)计算NURBS曲面的等几何材料密度分布场，建立设计域的结构优化设计模型，使设计域在体积减小的同时仍满足结构刚度性能达到需求，定义设计模型获得设计域中各控制顶点对应的密度；(c)建立优化准则更新上述密度并使其收敛，由此获得所需的所述设计域中每个点对应的密度，从而实现等几何材料密度场结构拓扑优化。通过本发明，有效地实现结构优化设计，消除拓扑优化设计中常见的棋盘格问题、网格依赖和孤岛现象等数值不稳定问题，使拓扑优化的结构更加光滑，提高优化求解效率。
基本信息
专利标题 ：
一种等几何材料密度场结构拓扑优化方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109670200A
申请号 ：
CN201811348566.8
公开（公告）日 ：
2019-04-23
申请日 ：
2018-11-13
授权号 ：
CN109670200B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
高亮许洁高杰李好肖蜜李培根
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
华中科技大学专利中心
代理人 ：
梁鹏
优先权 ：
CN201811348566.8
主分类号 ：
G06F17/50
IPC分类号 ：
G06F17/50
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2019-05-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G06F 17/50
申请日 : 20181113
申请日 : 20181113
2019-04-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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