集成电路上电测试方法、装置、存储介质及电子设备

授权

摘要

本公开涉及一种集成电路上电测试方法、集成电路上电测试装置、存储介质及电子设备。本公开实施例提供的集成电路上电测试方法包括：获取待测试集成电路的上电测试参数，并获取多种上电测试波形；利用所述上电测试参数为所述多种上电测试波形进行参数赋值以得到多种上电测试用例；使用所述多种上电测试用例对所述待测试集成电路进行上电测试。本公开实施例提供的集成电路上电测试方法可以形成多种上电测试用例，进而可以对集成电路的各种上电情形进行模拟。

基本信息

专利标题：

集成电路上电测试方法、装置、存储介质及电子设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111209182A

申请号：

CN201811396944.X

公开（公告）日：

2020-05-29

申请日：

2018-11-22

授权号：

CN111209182B

授权日：

2022-06-14

发明人：

不公告发明人

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

北京律智知识产权代理有限公司

代理人：

袁礼君

优先权：

CN201811396944.X

主分类号：

G06F11/36

IPC分类号：

G06F11/36