磁膜
授权
摘要
本公开提供了一种磁膜，所述磁膜包含分布在所述磁膜的相对的第一主表面和第二主表面之间的铁和铜。所述铜在距所述第一主表面的第一深度d1处具有第一原子浓度C1，并且在距所述第一主表面的第二深度d2处具有第二峰值原子浓度C2，d2>d1，C2/C1≥5。
基本信息
专利标题 ：
磁膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111033648A
申请号 ：
CN201880053028.8
公开（公告）日 ：
2020-04-17
申请日 ：
2018-08-01
授权号 ：
CN111033648B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
禹成宇徐政柱查尔斯·L·布鲁松詹尼弗·J·索科尔谢尔盖·A·马努伊洛夫
申请人 ：
3M创新有限公司
申请人地址 ：
美国明尼苏达州
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
李新红
优先权 ：
CN201880053028.8
主分类号 ：
H01F10/13
IPC分类号 ：
H01F10/13 H01F38/14 H05K9/00 H01F1/153
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H
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是金属或合金
H01F10/13
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法律状态
2022-04-19 ：
授权
2020-05-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01F 10/13
申请日 : 20180801
申请日 : 20180801
2020-04-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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