铁磁合金Co-Fe-C薄膜器件
授权
摘要
铁磁合金Co‑Fe‑C薄膜器件，由第一钽层、合金层、第二钽层和硅衬底层组成；所述的第一钽层、合金层、第二钽层和硅衬底层由上而下依次重叠，其中所述的第一钽层的厚度为5纳米，所述的合金层的厚度为20纳米，所述的第二钽层的厚度为5纳米，所述的硅衬底层的厚度为0.2和0.5毫米。本实用新型可以实现在特定的碳元素含量下同时具有比Co‑Fe‑B合金更优异的磁致伸缩系数、能量衰减系数和热稳定性，在磁电耦合器件和自旋电子学器件都有应用的潜力。
基本信息
专利标题 ：
铁磁合金Co-Fe-C薄膜器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921612557.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-26
授权号 ：
CN210403770U
授权日 ：
2020-04-24
发明人 ：
王嘉维林现庆
申请人 ：
浙江工业大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下城区潮王路18号
代理机构 ：
杭州天正专利事务所有限公司
代理人 ：
王兵
优先权 ：
CN201921612557.5
主分类号 ：
H01L41/12
IPC分类号 ：
H01L41/12 H01L41/20 H01L41/47 H01F41/30 H01F41/18 H01F10/13 C23C14/35 C23C14/16
法律状态
2020-04-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
