用于在存储器件中产生交错延迟的系统和方法

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摘要

一种半导体器件可包含多个存储体、耦合到所述存储体的输出缓冲器、将电压源耦合到所述输出缓冲器的多个开关，以及交错延迟电路。所述交错延迟电路可包含阻容RC电路，所述RC电路输出与所述RC电路接收的数据电压信号相对应的电流信号。所述交错延迟电路还可以包含逻辑电路，所述逻辑电路确定所述电流信号的强度并且基于所述强度向所述开关的第一部分发送第一门信号。

基本信息

专利标题：

用于在存储器件中产生交错延迟的系统和方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN111406285A

申请号：

CN201880076323.5

公开（公告）日：

2020-07-10

申请日：

2018-09-19

授权号：

CN111406285B

授权日：

2022-04-19

发明人：

M·V·霍

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王龙

优先权：

CN201880076323.5

主分类号：

G11C7/22

IPC分类号：

G11C7/22 G11C8/12 G11C7/10

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C7/10

输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器

G11C7/22

读写定时或计时电路；读写控制信号发生器或管理

法律状态

2022-04-19 ：

授权

2020-08-04 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : G11C 7/22
申请日 : 20180919

2020-07-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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